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元件参数资料
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参数目录39475
> BSS119 L6327 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
型号:
BSS119 L6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSS119 L6327 PDF
标准包装
3,000
系列
SIPMOS®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
170mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6 欧姆 @ 170mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.3V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
78pF @ 25V
功率 - 最大
360mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
PG-SOT23-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
SP000247290
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